近日，微电子所高频高压中心吴德馨院士团队在905nm多有源区级联垂直腔面发射激光器（VCSEL）研究方面取得新进展，成功研发出高性能905nm双有源区级联VCSEL器件，斜率效率达到2.27W/A，微分量子效率为164%，功率密度为257W/mm2 （10mA电流下），相当于传统单有源区VCSEL的两倍；功率转换效率达到52.4%，比传统单有源区VCSEL提高了16.4%。这种高效率、高功率密度多有源区级联VCSEL器件可为中短距离激光雷达提供高性能的光源。 

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