在建党100周年来临之际，联合微电子中心有限责任公司（简称CUMEC公司）面向全球发布三套工艺PDK——130nm成套硅光工艺PDK、300nm氮化硅光电子工艺PDK、三维集成工艺PDK，这是继去年5月发布180nm成套硅光工艺PDK之后，公司在工艺平台建设和技术创新领域取得的又一重大突破，是公司全体员工坚守初心使命，以实际行动庆祝党的百年华诞的生动实践！

    此次系列PDK的发布，标志着CUMEC公司成为国内首个基于8英寸工艺线同时开放硅基光电子、异质异构三维集成等四套工艺的光电集成高端特色工艺平台，器件性能和工艺能力处于国内领先、国际先进水平，具备面向全球客户提供光电微系统解决方案的能力。

    征途漫漫，唯有奋斗！CUMEC公司将矢志创新，砥砺奋进，勇攀高峰，对标国际一流建设开放高端特色工艺平台，不忘初心使命支撑科技自立自强，为国家集成电路发展突破瓶颈、重庆市建设西部（重庆）科学城和成渝双城经济圈做出更大贡献！

130nm成套硅光工艺PDK CSiP130Cu

    CUMEC公司硅光工艺平台基于8英寸(200mm) CMOS工艺，凭借先进的248nm/193nm DUV光刻技术，实现130nm工艺节点。此次CSiP130Cu PDK的更新，在工艺上实现了更小的线宽（从180nm到130nm），后道工艺从单层铝互连到双层铜互连，耦合器和有源器件性能得到较大升级，调制器带宽大于30GHz，并提供完整的器件库，达到国际硅光平台第一梯队的水平。

CSiP130Cu工艺及典型器件性能

300nm氮化硅光电子工艺PDK CSiN300

    CUMEC公司 Si3N4 工艺基于200mm CMOS工艺，在硅晶圆上制备300nm厚度的低损耗Si3N4 无源器件。氮化硅波导损耗<0.1dB/cm，达到国际主流工艺平台水平。

a)氮化硅波导形貌  b）光栅耦合器

c）微环耦合结构  d）MMI耦合器

CSiN300 工艺及典型器件性能

三维集成工艺PDK C3DS10

    CUMEC公司三维集成工艺平台基于8英寸(200mm)异质异构集成工艺，本次发布的10×100μm TSV工艺、2μm/2μm大马士革Cu布线工艺、2层Cu RDL工艺、50～200μm整晶圆减薄、熔融Fusion键合、临时键合和解键合工艺，既可实现3DSiP或3DSoC芯片的3D集成制造，又可实现高速信号传输硅转接板集成封装，达到国际主流工艺水平。

C3DS10三维集成工艺能力

CUMEC公司将竭诚为芯片设计者提供高质量工艺和流片服务，以期帮助芯片设计者高效、快捷验证芯片设计，欢迎大家联系预定，详情请访问CUMEC服务平台网址：

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