撰稿人：冯俊波（联合微电子中心有限责任公司）、余明斌（上海微技术工业研究院）

1.      专题简介：

本专题从光电子集成工艺技术和平台的角度，探讨光电子集成工艺技术的最新进展和发展趋势。报告嘉宾来自于国内外知名光电子工艺平台和代表性企业，包括硅基光电子工艺平台、 III-V、PLC、铌酸锂、硅基改性材料多种材料平台和企业。

本专题共计包括6份报告，其中2份报告来自于国外代表性硅光平台，重点介绍了国外平台最近在集成工艺和应用上的进展。其余4份报告来自于国内平台，分别是硅光平台-上海工研院、铌酸锂平台-华中科技大学、PLC平台-仕佳光子、硅基改性材料平台-奇芯光电。4份报告根据平台不同的特点定位及材料不同的应用场景介绍了各自的能力，展示了在具体应用场景下的所涉及的关键技术研究和产业化进展。专题各报告内容紧贴主题，既有广度又有深度，覆盖了目前光电子集成主流材料工艺体系，对行业发展做了一个很好的总结和展望，为与会人员提供了很有价值的参考。

2.      主要观点：

1)      硅光工艺平台是大规模光电子集成的重要工艺平台，目前在全球约有30家左右可提供硅基光电子芯片流片的平台。在数据中心和相干高速传输中已得到应用，主流平台已实现单波100Gbps的流片能力，未来向更多的应用方向发展，对工艺也提出不同的要求；

2)      异质多材料集成是光电子集成的重要发展方向，需要多平台协同发展；

3)      平台要为不同的应用需求开发新的工艺能力，如：低损耗氮化硅工艺，光电单片集成工艺等，在拓展工艺支持下的应用方面起到积极作用。

3.      发展建议：

1)      基础研究方面，建议加强国内工艺平台的支持，加大研发投资和特色完整平台建设，鼓励和支持芯片在国内平台流片。开展光电子大规模集成工艺、混合集成工艺和光电集成工艺的研究；

2)      应用研究方面，建议加速产学研协同，加强生态链建设，以市场应用牵引工艺平台发展，实现关键核心光电子芯片的国产化；

3)      大规模光电集成是未来发展趋势，需要同步发展光电融合EPDA工具、工艺和封装平台，在五年内实现光电子集成系统规模达到十万量级器件的设计、制备和封装平台能力。